emmc 文章 進入emmc技術(shù)社區(qū)
江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC
- 受原廠減產(chǎn)，以及需求逐步復(fù)蘇的影響拉動，目前半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)進入上行周期，存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升，半導(dǎo)體存儲行業(yè)目前處于上行復(fù)蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領(lǐng)先廠商，公司在eMMC向UFS過渡關(guān)鍵時點仍然擁有領(lǐng)先的市場地位及技術(shù)優(yōu)勢，公司持續(xù)對UFS標準的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā)，公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟建設(shè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯，形成如今相對專業(yè)和獨立的地位。與浮動較多的消費級市場相比，更為穩(wěn)定的工控市場已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤
- 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024)，4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列（BGA）固態(tài)硬盤，該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應(yīng)用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價格敏感但是要求高可靠的應(yīng)用而準備，工作在寬溫（-25oC至+85oC）環(huán)境下，支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價比VX系列固態(tài)硬盤，以擴展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合
- EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數(shù)； 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國，北京和美國，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導(dǎo)體新推出的高性價比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit)，可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案
- 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司（TSMC）行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴展其IP產(chǎn)品，用于臺積公司22nm工藝SoC設(shè)計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成，從
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關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動存儲器儲存新主流
- 通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流，將成為未來旗艦手機標準配備，吸引存儲器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。 隨著4K影音與虛擬實境等技術(shù)日漸成熟，引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫質(zhì)影音的儲存需求，研調(diào)機構(gòu)IHS預(yù)期，UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC，成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流。 瞄準UFS未來發(fā)展?jié)摿?，群?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311，預(yù)計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
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emmc介紹
eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標準規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主，而手機的內(nèi)嵌式標準規(guī)格除了eMMC之外，還包括SD協(xié)會設(shè)立的eSD規(guī)格，但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及，目前是eMMC4.3世代，下一代是eMMC4.4規(guī)格。
過去NAND Flash技術(shù)只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程，或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片，手機大廠都相當頭痛，必須重新設(shè)計以及處里兼容性問題，然NAND [ 查看詳細 ]
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